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APT50GT120JRDQ2

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APT50GT120JRDQ2
Símbolo TME:
APT50GT120JRDQ2

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
50A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±30V
Corriente de colector en impulso
150A
Tecnología
NPT
Clase de empaquetado
tubo
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto30 g
Certificados

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