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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1kV
Corriente del drenaje	14A
Carcasa	SP4
Topología	puente H + diodos paralelos, termistor NTC
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia	0,54Ω
Corriente del drenaje en impulso	72A
Poder disipado	357W
Tecnología	POWER MOS 7®, SiC
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM100H45SCTG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca