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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	429A
Carcasa	SP6C
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	2,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso	1900A
Poder disipado	1,66kW
Tecnología	FREDFET, POWER MOS 5®
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM10UM02FAG

Módulo; transistor individual; 100V; 429A; SP6C; Idm: 1900A; 1,66kW

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca