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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	fuente conjunta, transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	370A
Carcasa	SP6C
Topología	MOSFET x2
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia	2,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso	1900A
Poder disipado	1,25kW
Tecnología	POWER MOS 5®
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM10DUM02G

Módulo; transistor/transistor,fuente conjunta; 100V; 370A; SP6C

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca