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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	86A
Carcasa	SP6
Topología	transistor simple + diodo en serie + diodo paralelo
Montaje eléctrico	atornillado
Resistencia en estado de transferencia	0,12Ω
Corriente del drenaje en impulso	464A
Poder disipado	3,29kW
Tecnología	POWER MOS 7®, SiC
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM120U10SCAVG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 86A; SP6; atornillado; 3,29kW

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca