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El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | ||
Tensión drenaje-fuente | 200V | ||
Corriente del drenaje | 66A | ||
Carcasa | SP4 | ||
Topología | puente H + diodos paralelos + diodos en serie, termistor NTC | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Resistencia en estado de transferencia | 24mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 356A | ||
Poder disipado | 357W | ||
Tecnología | POWER MOS 7® | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |