IXFN420N10T
Módulo; transistor individual; 100V; 420A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN420N10T
Símbolo TME:
IXFN420N10T
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 100V | ||
Corriente del drenaje | 420A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 2,3mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 1kA | ||
Poder disipado | 1,07kW | ||
Tecnología | GigaMOS™, HiPerFET™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 670nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 140ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.1 g
Certificados
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* IXFN420N10TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
308 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 35.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 35.00 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 31.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 31.38 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 29.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 29.11 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 27.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 27.98 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 26.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 26.62 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und