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2018-07-03

WEEN SEMICONDUCTORS द्वारा SiC टेक्नोलॉजी पर आधारित नवीनतम शॉटकी डायोड्स

WEEN SEMICONDUCTORS द्वारा SiC टेक्नोलॉजी पर आधारित नवीनतम शॉटकी डायोड्स

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TME के ऑफर को शॉटकी रेक्टिफाइंग डायोड की नई श्रृंखला द्वारा समृद्ध किया गया है। WEEN SEMICONDUCTORS(पूर्व में NXP) द्वारा निर्मित, डायोड नवीनतम सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) तकनीक पर आधारित हैं। इनका उपयोग उच्च स्विचिंग आवृत्ति(जैसे पॉवर सप्लाई यूनिट्स, कनवर्टर्स, UPS यूनिट्स,आदि) पर आधारित बिजली आपूर्ति प्रणालियों में किया जाता है।

नए डायोड्स का विवरण निम्न विशेषताओं द्वारा किया गया है:

  • उच्च स्विचिंग स्थिरता;
  • बेहद तेज़ स्विचिंग समय;
  • पारंपरिक कार्बाइड टेक्नोलॉजी की तुलना में वर्धित दक्षता;
  • कम विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप(EMI)।

अधिकतम रिवर्स वोल्टेज: 650V
अधिकतम जंक्शन तापमान: 175°C
टेक्नोलॉजी: SiC
माउंटिंग: SMD
चिन्ह अग्रिम विद्युतधारा पैकेज
NXPSC04650B 4A D2PAK
NXPSC04650D 4A DPAK
NXPSC06650B 6A D2PAK
NXPSC06650D 6A DPAK
NXPSC08650B 8A D2PAK
NXPSC08650D 8A DPAK
NXPSC10650B 10A D2PAK
NXPSC10650D 10A DPAK

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