IXFN102N30P
Módulo; transistor individual; 300V; 86A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN102N30P
Símbolo TME:
IXFN102N30P
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 300V | ||
Corriente del drenaje | 86A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 33mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 250A | ||
Poder disipado | 570W | ||
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 224nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 200ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.99 g
Certificados
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* IXFN102N30PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 27.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 27.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 2 und - 26.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2 und - 26.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 25.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 25.01 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 23.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 23.23 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 21.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 21.92 USD