IXFN32N80P
Módulo; transistor individual; 800V; 29A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN32N80P
Símbolo TME:
IXFN32N80P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 800V | |
Corriente del drenaje | 29A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,27Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 250A | |
Poder disipado | 625W | |
Tecnología | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 150nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.98 g
Certificados
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* IXFN32N80PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 33.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 33.54 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 30.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 30.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.60 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und