IXTN200N10L2
Módulo; transistor individual; 100V; 178A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN200N10L2
Símbolo TME:
IXTN200N10L2
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 100V | ||
Corriente del drenaje | 178A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 11mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 500A | ||
Poder disipado | 830W | ||
Tecnología | Linear L2™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 540nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 245ns | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto29.6 g
Certificados
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* IXTN200N10L2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 51.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 51.48 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 45.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 45.62 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 20 und