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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	395A
Carcasa	D3
Topología	medio puente MOSFET + diodos paralelos
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia	5,2mΩ
Corriente del drenaje en impulso	990A
Poder disipado	2031W
Tecnología	SiC
Montaje mecánico	atornillado

MSCSM120AM042CD3AG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 395A; D3; Idm: 990A; 2031W; SiC

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca