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1N5817G

Diodo: rectificador de barrera Schottky; THT; 20V; 1A; CASE59


El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
1N5817G
Símbolo TME:
1N5817G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de diodo
rectificador de barrera Schottky
Montaje
THT
Tensión de retorno máx.
20V
Corriente conductiva
1A
Estructura del semiconductor
diodo individual
Carcasa
CASE59
Corriente conductiva máx.
0,75V
Corriente en impulso max.
25A
Peso bruto1 g
Certificados
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1N5817G
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