2N7002DW

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.48 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.38 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.23 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.20 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.12 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.11 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	0,115A
Corriente del drenaje en impulso	0,8A
Poder disipado	0,2W
Carcasa	SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	2Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

2N7002DW

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W