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2SD315AI

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

El productor: POWER INTEGRATIONS

Denominación de fabricante:
2SD315AI
Símbolo TME:
2SD315AI

Especificación

Fabricante
POWER INTEGRATIONS
Tipo de módulo semiconductor
gate driver board
Topología
medio puente IGBT, medio puente MOSFET
Montaje
regleta pin
Temperatura de trabajo
-40...85°C
Tecnología
SCALE™-1
Clase de voltaje
1,7kV
Frecuencia
0,1MHz
Corriente de salida
18A
Clase de salida
control IGBT
Propiedades de circuitos integrados
convertidor DC/DC integrado
Tensión de alimentación
  • 0...16V DC
Peso bruto50 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT POWER INTEGRATIONS,
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2SD315AI
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 74.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 74.53 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 70.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 70.48 USD
Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 67.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 67.44 USD
Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 64.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 64.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 48 und - 63.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 48 und - 63.84 USD