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APTM120U10SAG

Módulo; diodo/transistor; 1,2kV; 86A; SP6C; Idm: 464A; 3,29kW

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM120U10SAG
Símbolo TME:
APTM120U10SAG

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
86A
Carcasa
SP6C
Topología
transistor simple + diodo en serie + diodo paralelo
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
0,12Ω
Corriente del drenaje en impulso
464A
Poder disipado
3,29kW
Tecnología
POWER MOS 7®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca

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APTM120U10SAG
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Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 258.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 258.45 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 4)