B2M160120H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 39A; 123W
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
B2M160120H
Símbolo TME:
B2M160120H
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 16A | |
Corriente del drenaje en impulso | 39A | |
Poder disipado | 123W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,16Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 26nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M160120H
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.64 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.48 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 1.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 1.30 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 1.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 1.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 1.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 1.09 USD