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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Carcasa | TO252-3 | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | SMD | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente conductiva | 4A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Corriente en impulso max. | 36A | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Poder disipado | 56W |