BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
El productor: BASiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
BGH50N65HS1
Símbolo TME:
BGH50N65HS1
Especificación
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de transistor | IGBT | ||
Tecnología | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Tensión colector-emisor | 650V | ||
Corriente de colector | 50A | ||
Poder disipado | 357W | ||
Carcasa | TO247-3 | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 200A | ||
Montaje | THT | ||
Carga de puerta | 308nC | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Tiempo de conexión | 54ns | ||
Tiempo de desconexión | 256ns | ||
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6.26 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* BGH50N65HS1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
34 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 10.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 10.88 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 9.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 9.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 8.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 8.64 USD
Precio neto para cantidades a partir de 150 und - 7.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 150 und - 7.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 600 und - 6.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 600 und - 6.98 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und