FDC6301N

Name: ONSEMI FDC6301N
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6301N
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,22A; 0,9W; SuperSOT-6

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDC6301N

Símbolo TME:

FDC6301N

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.61 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.41 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.30 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.16 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.14 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	25V
Corriente del drenaje	0,22A
Poder disipado	0,9W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±0,5V, ±8V
Resistencia en estado de transferencia	9Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	0,7nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido