Name: ONSEMI FDC6306P
Brand: ONSEMI
SKU: FDC6306P
Availability: OutOfStock

FDC6306P

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.92 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.57 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.41 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.25 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.23 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-1,9A
Poder disipado	0,96W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	0,27Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	4,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

FDC6306P

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,9A; 0,96W; SuperSOT-6