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Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	25/-25V
Corriente del drenaje	0,22/-0,12A
Poder disipado	0,9W
Carcasa	SuperSOT-6
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	9/10Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

FDC6320C

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 25/-25V

Especificación

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