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FDMS3669S

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2,2/2,5W

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDMS3669S
Símbolo TME:
FDMS3669S

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30/30V
Corriente del drenaje
24/60A
Poder disipado
2,2/2,5W
Carcasa
Power56
Tensión puerta-fuente
±20/±12V
Resistencia en estado de transferencia
14,5/7,1mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
24/34nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados

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FDMS3669S
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