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FDS3890

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4,7A; Idm: 20A; 2W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS3890
Símbolo TME:
FDS3890

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
80V
Corriente del drenaje
4,7A
Corriente del drenaje en impulso
20A
Poder disipado
2W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
82mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
35nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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FDS3890
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)