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Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-6A
Poder disipado	1,6W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	48mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	31nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

FDS6875

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1,6W; SO8

Especificación