Name: ONSEMI FDS8949
Brand: ONSEMI
SKU: FDS8949
Availability: InStock

FDS8949

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.92 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.66 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.46 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.38 USD

Método de envasado por el fabricante:Rulo = 2 500 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	40V
Corriente del drenaje	6A
Poder disipado	2W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	43mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	11nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8