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Fabricante | IXYS | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchT2™ | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 75V | |
Corriente del drenaje | 120A | |
Corriente del drenaje en impulso | 500A | |
Poder disipado | 170W | |
Carcasa | ISOPLUS i4-pac™ x024a | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 5,8mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 178nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Estructura del semiconductor | doble serial | |
Tiempo de disponibilidad | 66ns |