G3R20MT12N
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; atornillado
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
G3R20MT12N
Símbolo TME:
G3R20MT12N
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 74A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 20mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 240A | |
Poder disipado | 365W | |
Tecnología | G3R™, SiC | |
Clase de canal | enriquecido | |
Tensión puerta-fuente | -5...15V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.39 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
105 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 55.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 55.35 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 53.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 53.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 52.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 52.17 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und