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Fabricante	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tipo de diodo	rectificador de barrera Schottky
Tecnología	SiC
Montaje	THT
Tensión de retorno máx.	650V
Corriente conductiva	30A x2
Estructura del semiconductor	catodo compartido, doble
Propiedades de elementos semiconductores	MPS
Carcasa	TO247-3
Corriente conductiva máx.	1,8V
Corriente conductiva máx.	88A
Corriente en impulso max.	0,168kA
Clase de empaquetado	tubo

GD2X30MPS06D

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 30Ax2

Especificación