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Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Topología	medio puente IGBT x3, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	300A
Carcasa	C7
Montaje eléctrico	atornillado, Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	600A
Tecnología	Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado

GD300HTY120C7S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; C7

Especificación