IXD2012NTR
IC: driver; puente H; mediopuente; SOIC8; 2,3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
NOVEDAD
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXD2012NTR
Símbolo TME:
IXD2012NTR
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de circuito integrado | driver | |
Topología | puente H | |
Clase de circuito integrado | mediopuente | |
Carcasa | SOIC8 | |
Corriente de salida | 2,3A | |
Número de canales | 2 | |
Propiedades de circuitos integrados | MOSFET | |
Montaje | SMD | |
Temperatura de trabajo | -40...125°C | |
Tiempo de incremento del impulso | 30ns | |
Tiempo de reducción del impulso | 20ns | |
Corriente de salida máx. | 2,3A | |
Poder disipado | 0,625W |
Tensión de alimentación
- 10...20V
Peso bruto1 g
Certificados
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* IXD2012NTRNúmero de unidades (Multiplicidad: 2 500)
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Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.43 USD