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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	62A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	124A
Poder disipado	450W
Tecnología	NPT
Propiedades de elementos semiconductores	de alta tensión
Montaje mecánico	atornillado

IXDN55N120D1

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B

Especificación