IXFN100N50P
Módulo; transistor individual; 500V; 75A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN100N50P
Símbolo TME:
IXFN100N50P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 75A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 49mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 250A | |
Poder disipado | 1,04kW | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 240nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.07 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
300 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 44.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 44.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 42.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 42.69 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 40.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 40.99 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und