IXFN140N20P
Módulo; transistor individual; 200V; 115A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN140N20P
Símbolo TME:
IXFN140N20P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 200V | |
Corriente del drenaje | 115A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 18mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 280A | |
Poder disipado | 680W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 240nC | |
Tiempo de disponibilidad | 150ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.08 g
Certificados
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* IXFN140N20PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 26.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 26.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 23.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 23.53 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 22.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 22.26 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und