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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Tensión drenaje-fuente | 200V | |
Corriente del drenaje | 180A | |
Carcasa | SOT227B | |
Resistencia en estado de transferencia | 12,5mΩ | |
Poder disipado | 700W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Montaje mecánico | atornillado |