IXFN26N120P
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN26N120P
Símbolo TME:
IXFN26N120P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 23A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,5Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 60A | |
Poder disipado | 695W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 255nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXFN26N120P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 34.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 34.11 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und