IXFN300N20X3
Módulo; transistor individual; 200V; 300A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN300N20X3
Símbolo TME:
IXFN300N20X3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 200V | |
Corriente del drenaje | 300A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 3,5mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 700A | |
Poder disipado | 695W | |
Tecnología | HiPerFET™, X3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 375nC | |
Tiempo de disponibilidad | 172ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto29.47 g
Certificados
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* IXFN300N20X3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 48.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 48.56 USD