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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	1kV
Corriente del drenaje	37A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	0,22Ω
Corriente del drenaje en impulso	110A
Poder disipado	890W
Tecnología	HiPerFET™, Polar™
Clase de canal	enriquecido
Carga de puerta	0,35µC
Tiempo de disponibilidad	300ns
Tensión puerta-fuente	±40V
Montaje mecánico	atornillado

IXFN44N100P

Módulo; transistor individual; 1kV; 37A; SOT227B; atornillado

Especificación