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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Tensión drenaje-fuente	1kV
Corriente del drenaje	65A
Carcasa	SOT227B
Resistencia en estado de transferencia	89mΩ
Poder disipado	1,2kW
Tecnología	HiPerFET™
Tiempo de disponibilidad	310ns
Montaje mecánico	atornillado

IXFN70N100X

Módulo; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; atornillado

Especificación