IXFN80N50P
Módulo; transistor individual; 500V; 66A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN80N50P
Símbolo TME:
IXFN80N50P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 66A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 200A | |
Poder disipado | 700W | |
Tecnología | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 195nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXFN80N50PNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
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Producto a pedido especial
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und