IXFN80N60P3
Módulo; transistor individual; 600V; 66A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN80N60P3
Símbolo TME:
IXFN80N60P3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 66A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 77mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 200A | |
Poder disipado | 960W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar3™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 0,19µC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.1 g
Certificados
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* IXFN80N60P3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 32.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 32.74 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.61 USD
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 24.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 24.49 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 22.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 22.69 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und