IXTN170P10P
Módulo; transistor individual; -100V; -170A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN170P10P
Símbolo TME:
IXTN170P10P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | -100V | |
Corriente del drenaje | -170A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 14mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | -510A | |
Poder disipado | 890W | |
Tecnología | PolarP™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 240nC | |
Tiempo de disponibilidad | 176ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN170P10PNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
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