IXTN30N100L
Módulo; transistor individual; 1kV; 30A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN30N100L
Símbolo TME:
IXTN30N100L
Especificación
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 30A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,45Ω | ||
Corriente del drenaje en impulso | 70A | ||
Poder disipado | 800W | ||
Tecnología | Linear™ | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Carga de puerta | 545nC | ||
Tiempo de disponibilidad | 1µs | ||
Tensión puerta-fuente | ±40V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN30N100LNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 102.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 102.28 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 92.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 92.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 81.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 81.33 USD