IXTN32P60P
Módulo; transistor individual; -600V; -32A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN32P60P
Símbolo TME:
IXTN32P60P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | -600V | |
Corriente del drenaje | -32A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,35Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | -96A | |
Poder disipado | 890W | |
Tecnología | PolarP™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 196nC | |
Tiempo de disponibilidad | 480ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto38.3 g
Certificados
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* IXTN32P60P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 44.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 44.66 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 40.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 40.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 35.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 35.49 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und