IXTN80N30L2
Módulo; transistor individual; 300V; 80A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN80N30L2
Símbolo TME:
IXTN80N30L2
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 80A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 38mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 200A | |
Poder disipado | 735W | |
Tecnología | Linear L2™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 660nC | |
Tiempo de disponibilidad | 485ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN80N30L2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 42.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 42.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 38.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 38.55 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 34.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 34.08 USD