IXXN110N65B4H1
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXXN110N65B4H1
Símbolo TME:
IXXN110N65B4H1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente de colector | 110A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 650A | |
Poder disipado | 750W | |
Tecnología | GenX4™, XPT™ | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXXN110N65B4H1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 32.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 32.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 28.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 28.64 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 24.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 24.19 USD