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NCP5111DR2G

IC: driver; medio puente IGBT,medio puente MOSFET; SO8; Ch: 2

Documentación EN

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NCP5111DR2G
Símbolo TME:
NCP5111DR2G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de circuito integrado
driver
Topología
medio puente IGBT, medio puente MOSFET
Clase de circuito integrado
controladores de puertas, high-/low-side
Carcasa
SO8
Corriente de salida
-500...250mA
Número de canales
2
Montaje
SMD
Temperatura de trabajo
-40...125°C
Tiempo de incremento del impulso
160ns
Tiempo de reducción del impulso
75ns
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de voltaje
600V
Protección contra
bajo voltaje UVP
Tensión de alimentación
  • 10...20V DC
Peso bruto0.1 g
Certificados

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NCP5111DR2G
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