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NTJD4105CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-8V

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTJD4105CT1G
Símbolo TME:
NTJD4105CT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Clase de transistor
par complementario
Tensión drenaje-fuente
20/-8V
Corriente del drenaje
0,63/-0,755A
Poder disipado
0,27W
Carcasa
SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente
±8V, ±12V
Resistencia en estado de transferencia
445/900mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
3/4nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Versión
ESD
Peso bruto0.013 g
Certificados

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NTJD4105CT1G
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.32 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.12 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.12 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.