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Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	338A
Carcasa	PIM36
Topología	medio puente MOSFET
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	7,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso	676A
Poder disipado	1098W
Tecnología	SiC
Tensión puerta-fuente	-10...22V
Clase de empaquetado	bandeja
Montaje mecánico	atornillado

NXH004P120M3F2PTNG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB

Especificación