QS5K2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS5K2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS5K2TR
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W; TSOT25

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS5K2TR

Símbolo TME:

QS5K2TR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.99 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.68 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.49 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.32 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.22 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.21 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	2A
Corriente del drenaje en impulso	8A
Poder disipado	1,25W
Carcasa	TSOT25
Tensión puerta-fuente	±12V
Resistencia en estado de transferencia	154mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	2,8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Estructura del semiconductor	fuente conjunta
Versión	ESD